意法半导体(ST)的碳化硅(SiC)器件SiC MOSFET电压范围为650V至2200V，具有业内领先的200°C额定结温，可实现更为高效、简洁的设计。 在全温度范围内，较低的RDS(on)结合低电容和非常高的开关频率，在更高的效率和更小的系统尺寸和重量方面提高了应用性能。第三代碳化硅MOSFET甚至可以在15V Vgs下驱动。

 

封装

 

特性

• 获得汽车级(AG)认证的器件

• 超高温处理能力(最高Tj = 200°C)

• 极低的开关损耗(随温度变化很小)，支持以非常高的开关频率工作

• 在温度范围内具有低导通电阻

• 易于驱动

• 稳定的超快速本体二极管

 

应用

• 汽车

• 光伏

• 储能

• 充电桩

 

主要器件

 

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