Vishay TrenchFET^®第四代MOSFET是新一代TrenchFET^®系列功率MOSFET，具有业内超低导通电阻R_DS(on)的特性，进一步降低了导通损耗以及功耗。并拥有低栅极总电荷的特性。采用PowerPAK^® SO-8封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。应用于大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

 

应用框图

 

特性

• 源漏极导通电阻R_DS(on): 0.00090Ω/ 0.00175Ω

• 栅极电荷典型值Qg (Typ.): 39.1nC/ 42.5nC

• 持续源漏极导通电流(T_C=25°C): 241A/ 165A

• 100%通过Rg和UIS测试

• 材料兼容Pb-free RoHS标准

 

应用领域

• 同步整流

• 初级侧开关

• DC/DC转换器

• 太阳能微型逆变器

• 电机驱动开关

• 电池和负载开关

 

主要器件

 

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