SIR626ADP-T1-RE3 (95折)

Vishay

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规格参数 (产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！)

源漏极间雪崩电压VBR(V)：60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：1.75
最大漏极电流Id(on)(A)：165
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK SO-8/-55~150
描述：60V，1.75mΩ，165A，N沟道功率MOSFET

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