SCTH35N65G2V-7 (95折)

STMicroelectronics

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规格参数 (产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！)

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻(mΩ)：67
最大电流漏极Id(on)(A)：45
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：H2PAK-7/-55~175
描述：650V、67mΩ、45A、N 沟道碳化硅功率 MOSFET

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