SCTH35N65G2V-7AG (95折)

STMicroelectronics

暂无

武汉库存

现货

价格：

规格参数 (产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！)

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻(mΩ)：67
最大电流漏极Id(on)(A)：45
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：H2PAK-7/-55~175
描述：650V、67mΩ、45A、N 沟道碳化硅功率 MOSFET

技术文档