SCTW40N120G2VAG (95折)

STMicroelectronics

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规格参数 (产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！)

源漏极间雪崩电压VBR(V)：1200
源漏极最大导通电阻(mΩ)：105
最大电流漏极Id(on)(A)：33
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：HiP247-3/-55~200
描述：1200V,105mΩ,33A、N沟道汽车级碳化硅功率 MOSFET

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