SCTWA90N65G2V-4 (95折)
STMicroelectronics
暂无
武汉库存
现货
价格：
规格参数 (产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！)
| 源漏极间雪崩电压VBR(V)： | 650 |
| 源漏极最大导通电阻(mΩ)： | 24 |
| 最大电流漏极Id(on)(A)： | 119 |
| 通道极性： | N沟道 |
| 封装/温度(℃)： | HiP247-4/-55~200 |
| 描述： | 650V,24mΩ,119A,N 沟道碳化硅功率 MOSFET |
技术文档
产品详情
SCTWA90N65G2V-4 (95折)
STMicroelectronics
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规格参数 (产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！)
| 源漏极间雪崩电压VBR(V)： | 650 |
| 源漏极最大导通电阻(mΩ)： | 24 |
| 最大电流漏极Id(on)(A)： | 119 |
| 通道极性： | N沟道 |
| 封装/温度(℃)： | HiP247-4/-55~200 |
| 描述： | 650V,24mΩ,119A,N 沟道碳化硅功率 MOSFET |
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