NVD6416ANLT4G-VF01 (95折)

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规格参数 (产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！)

源漏极间雪崩电压VBR(V)：100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：74
最大漏极电流Id(on)(A)：19
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：DPAK-3/-55~175
描述：19AN沟道功率MOSFET

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